- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Входной каскад
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Thunderbolt IGBT®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Мощность - Макс.: 694W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 106A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
- Switching Energy: 3585µJ (on), 1910µJ (off)
- Gate Charge: 240nC
- Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Thunderbolt IGBT®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264 [L]
- Мощность - Макс.: 694W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 106A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
- Switching Energy: 2585µJ (on), 1910µJ (off)
- Gate Charge: 240nC
- Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: XPT™, GenX4™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220 (IXYP)
- Время обратного восстановления (trr): 42ns
- Мощность - Макс.: 500W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 106A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 184A
- Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
- Gate Charge: 57nC
- Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Thunderbolt IGBT®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264 [L]
- Мощность - Макс.: 694W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 106A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 800V, 50A, 1Ohm, 15V
- IGBT Type: NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
- Switching Energy: 2585µJ (on), 1910µJ (off)
- Gate Charge: 240nC
- Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: GenX4™, XPT™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-263HV
- Время обратного восстановления (trr): 42ns
- Мощность - Макс.: 500W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 106A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 184A
- Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
- Gate Charge: 57nC
- Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: XPT™, GenX4™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247 (IXYH)
- Время обратного восстановления (trr): 42ns
- Мощность - Макс.: 500W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 106A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
- Test Condition: 960V, 25A, 5Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 184A
- Switching Energy: 4mJ (on), 3.4mJ (off)
- Gate Charge: 57nC
- Td (on/off) @ 25°C: 15ns/235ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100