• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
IXYH30N120A4 DISC IGBT XPT-GENX4 TO-247AD IXYS TO-247-3 106A 1200V 500W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247 (IXYH) Standard PT 1.9V @ 15V, 25A 960V, 25A, 5Ohm, 15V 184A 42ns 4mJ (on), 3.4mJ (off) 57nC 15ns/235ns XPT™, GenX4™
IXYA30N120A4HV DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2 IXYS TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 106A 1200V 500W Surface Mount -55°C ~ 175°C (TJ) TO-263HV Standard PT 1.9V @ 15V, 25A 960V, 25A, 5Ohm, 15V 184A 42ns 4mJ (on), 3.4mJ (off) 57nC 15ns/235ns GenX4™, XPT™
IXYP30N120A4 IGBT DISCRETE TO-220 IXYS TO-220-3 106A 1200V 500W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-220 (IXYP) Standard 1.9V @ 15V, 25A 960V, 25A, 5Ohm, 15V 184A 42ns 4mJ (on), 3.4mJ (off) 57nC 15ns/235ns XPT™, GenX4™
APT50GT120LRDQ2G IGBT 1200V 106A 694W TO264 Microchip Technology TO-264-3, TO-264AA 106A 1200V 694W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-264 [L] Standard NPT 3.7V @ 15V, 50A 800V, 50A, 1Ohm, 15V 150A 2585µJ (on), 1910µJ (off) 240nC 23ns/215ns Thunderbolt IGBT®
APT50GT120LRDQ2G IGBT 1200V 106A 694W TO264 Microsemi Corporation TO-264-3, TO-264AA 106A 1200V 694W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-264 [L] Standard NPT 3.7V @ 15V, 50A 800V, 50A, 1Ohm, 15V 150A 2585µJ (on), 1910µJ (off) 240nC 23ns/215ns Thunderbolt IGBT®
APT50GT120B2RDLG IGBT 1200V 106A 694W TO-247 Microsemi Corporation TO-247-3 Variant 106A 1200V 694W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) Standard NPT 3.7V @ 15V, 50A 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V 150A 3585µJ (on), 1910µJ (off) 240nC 23ns/215ns Thunderbolt IGBT®