• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
Найдено: 8
  • IGBT 3000V 42A 357W TO268
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: BIMOSFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    • Тип корпуса: TO-268HV
    • Время обратного восстановления (trr): 1.7µs
    • Мощность - Макс.: 500W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 104A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 3000V
    • Test Condition: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 400A
    • Gate Charge: 200nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™, XPT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: ISOPLUS247™
    • Мощность - Макс.: 484W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 104A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 100A, 1Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 480A
    • Switching Energy: 6.5mJ (on), 2.9mJ (off)
    • Gate Charge: 270nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 32ns/123ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247G
    • Мощность - Макс.: 288W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 104A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 180A
    • Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
    • Gate Charge: 140nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 250V 104A 330W TO247AC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Мощность - Макс.: 330W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 104A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
    • Test Condition: 180V, 30A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 208A
    • Switching Energy: 45µJ (on), 125µJ (off)
    • Gate Charge: 230nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGBT 250V 104A 330W TO247AC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Мощность - Макс.: 330W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 104A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
    • Test Condition: 180V, 30A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 208A
    • Switching Energy: 45µJ (on), 125µJ (off)
    • Gate Charge: 230nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247G
    • Время обратного восстановления (trr): 88ns
    • Мощность - Макс.: 288W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 104A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 180A
    • Switching Energy: 1.43mJ (on), 1.2mJ (off)
    • Gate Charge: 140nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 55ns/180ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: BIMOSFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Время обратного восстановления (trr): 1.7µs
    • Мощность - Макс.: 500W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 104A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 2500V
    • Test Condition: 1250V, 42A, 20Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 400A
    • Gate Charge: 200nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 72ns/445ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: BIMOSFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Тип корпуса: TO-247HV
    • Время обратного восстановления (trr): 1.7µs
    • Мощность - Макс.: 500W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 104A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 3000V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 42A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 400A
    • Gate Charge: 200nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: