• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
IRGP4050 IGBT 250V 104A 330W TO247AC Infineon Technologies TO-247-3 104A 250V 330W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AC Standard 1.9V @ 15V, 30A 180V, 30A, 5Ohm, 15V 208A 45µJ (on), 125µJ (off) 230nC 37ns/120ns
IRGP4050PBF IGBT 250V 104A 330W TO247AC Infineon Technologies TO-247-3 104A 250V 330W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AC Standard 1.9V @ 15V, 30A 180V, 30A, 5Ohm, 15V 208A 45µJ (on), 125µJ (off) 230nC 37ns/120ns
IXYR100N120C3 IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247 IXYS TO-247-3 104A 1200V 484W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) ISOPLUS247™ Standard 3.5V @ 15V, 100A 600V, 100A, 1Ohm, 15V 480A 6.5mJ (on), 2.9mJ (off) 270nC 32ns/123ns GenX3™, XPT™
IXBH42N300HV DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT TO-2 IXYS TO-247-3 Variant 104A 3000V 500W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247HV Standard 3V @ 15V, 42A 400A 1.7µs 200nC BIMOSFET™
IXBT42N300HV IGBT 3000V 42A 357W TO268 IXYS TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 104A 3000V 500W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) TO-268HV Standard 3V @ 15V, 42A 1500V, 42A, 20Ohm, 15V 400A 1.7µs 200nC 72ns/445ns BIMOSFET™
IXBH42N250 BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A IXYS TO-247-3 104A 2500V 500W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AD Standard 3V @ 15V, 42A 1250V, 42A, 20Ohm, 15V 400A 1.7µs 200nC 72ns/445ns BIMOSFET™
RGWSX2TS65DGC13 HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE, Rohm Semiconductor TO-247-3 104A 650V 288W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) TO-247G Standard Trench Field Stop 2V @ 15V, 60A 400V, 60A, 10Ohm, 15V 180A 88ns 1.43mJ (on), 1.2mJ (off) 140nC 55ns/180ns
RGWSX2TS65GC13 HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE, Rohm Semiconductor TO-247-3 104A 650V 288W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) TO-247G Standard Trench Field Stop 2V @ 15V, 60A 400V, 60A, 10Ohm, 15V 180A 1.43mJ (on), 1.2mJ (off) 140nC 55ns/180ns
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100