• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
  • SIRA18DP-T1-RE3
    MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: PowerPAK® SO-8
    • Тип корпуса: PowerPAK® SO-8
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 14.7W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +20V, -16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSC031N06NS3GATMA1
    MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: PG-TDSON-8-1
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 93µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI5513CDC-T1-E3
    MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
    Vishay Siliconix
    • Производитель: Vishay Siliconix
    • Серия: TrenchFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 1206-8 ChipFET™
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 3.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFH74N20P
    MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHT™ HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD (IXFH)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 107nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 480W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFP72N20X3
    200V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3780pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 320W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IPA075N15N3GXKSA1
    MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: OptiMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: PG-TO220-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 43A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 270µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7280pF @ 75V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 39W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFS7730TRLPBF
    MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFET®, StrongIRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13660pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 375W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS8928A
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V, 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A, 4A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CPC3730C
    MOSFET N-CH 350V SOT89
    IXYS Integrated Circuits Division
    • Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 350V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 140mA, 0V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STP120NH03L
    MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: STripFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 110W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NVMFS6H848NT1G
    MOSFET N-CH 80V 6DFN
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
    • Тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 70µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STL140N6F7
    MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: DeepGATE™, STripFET™ VII
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PowerFlat™ (5x6)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BUK7E1R6-30E,127
    BUK7E1R6-30E - POWER, I2PAK
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Серия: TrenchMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    • Тип корпуса: I2PAK
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11.96pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 349W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NVMFS5C460NLT3G
    MOSFET N-CH 40V SO8FL
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SSM6J503NU,LF
    MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Серия: U-MOSVI
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-UDFNB (2x2)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Максимально допустимый длительный среднеквадратичный ток через компонент, при котором температура не выходит за установленный предел, компонент сохраняет работоспособность и его электрические характеристики остаются в номинальных границах.