• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF5S19060NBR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 12W 1.99GHz 65V TO-272BB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF6S19060NBR1 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 12W 1.93GHz 68V TO-272BB LDMOS 16dB 28V 610mA
MRF5S19060MBR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 12W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V TO-272BB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF6S19060NBR1 FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 12W 1.93GHz 68V TO-272BB LDMOS 16dB 28V 610mA
MRF5S19060NBR1 FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 12W 1.99GHz 65V TO-272BB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF6S19060MBR1 FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 12W 1.93GHz 68V TO-272-4 LDMOS 16dB 28V 610mA
MRF5S19060MBR1 FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 12W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V TO-272BB LDMOS 14dB 28V 750mA
MRF6S19060NBR1 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Rochester Electronics, LLC TO-272 WB-4 12W 1.93GHz 68V TO-272BB LDMOS 16dB 28V 610mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100