• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
PTF080101M V1 IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Infineon Technologies PG-RFP-10 10W 960MHz 65V 1µA 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) LDMOS 16dB 28V 180mA GOLDMOS®
PTF210101M V1 IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Infineon Technologies PG-RFP-10 10W 2.17GHz 65V 1µA 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) LDMOS 15dB 28V 180mA GOLDMOS®
PTF180101M V1 IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 Infineon Technologies PG-RFP-10 10W 1.99GHz 65V 1µA 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) LDMOS 16.5dB 28V 180mA GOLDMOS®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100