-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AFV09P350-04GNR3 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | Freescale Semiconductor | OM-780G-4L | 100W | 920MHz | 105V | OM-780G-4L | LDMOS (Dual) | 19.5dB | 48V | 860mA |
| AFV09P350-04GNR3 | RF MOSFET LDMOS DL 48V OM780G-4L | NXP USA Inc. | OM-780G-4L | 100W | 920MHz | 105V | OM-780G-4L | LDMOS (Dual) | 19.5dB | 48V | 860mA |
| MMRF1020-04GNR3 | FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G | NXP USA Inc. | OM-780G-4L | 100W | 920MHz | 105V | OM-780G-4L | LDMOS (Dual) | 19.5dB | 48V | 860mA |
- 10
- 15
- 50
- 100