-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF6VP2600HR6 | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 | NXP USA Inc. | NI-1230 | 125W | 225MHz | 110V | NI-1230 | LDMOS (Dual) | 25dB | 50V | 2.6A |
| MRFE6VP8600HR5 | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230 | NXP USA Inc. | NI-1230 | 125W | 860MHz | 130V | NI-1230 | LDMOS (Dual) | 19.3dB | 50V | 1.4A |
| MRF6VP2600HR5 | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 | NXP USA Inc. | NI-1230 | 125W | 225MHz | 110V | NI-1230 | LDMOS (Dual) | 25dB | 50V | 2.6A |
| MRFE6VP8600HR6 | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H | NXP USA Inc. | NI-1230 | 125W | 860MHz | 130V | NI-1230 | LDMOS (Dual) | 19.3dB | 50V | 1.4A |
- 10
- 15
- 50
- 100