-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMRF1007HSR5 | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S | NXP USA Inc. | NI-1230-4S | 1000W | 1.03GHz | 110V | NI-1230-4S | LDMOS (Dual) | 20dB | 50V | 150mA |
| MMRF1312HSR5 | TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | NXP USA Inc. | NI-1230-4S | 1000W | 1.034GHz | 112V | NI-1230-4S | LDMOS (Dual) | 19.6dB | 50V | 100mA |
| AFV141KHSR5 | IC TRANS RF LDMOS | NXP USA Inc. | NI-1230-4S | 1000W | 1.4GHz | 105V | NI-1230-4S | LDMOS (Dual) | 17.7dB | 50V | 100mA |
| AFV121KHSR5 | IC TRANS RF LDMOS | NXP USA Inc. | NI-1230-4S | 1000W | 960MHz ~ 1.22GHz | 112V | NI-1230-4S | LDMOS (Dual) | 19.6dB | 50V | 100mA |
| MMRF1314HSR5 | TRANS RF FET 1.4GHZ 1000W 52V | NXP USA Inc. | NI-1230-4S | 1000W | 1.4GHz | 105V | NI-1230-4S | LDMOS (Dual) | 17.7dB | 50V | 500mA |
- 10
- 15
- 50
- 100