• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
CLF1G0035S-100PU RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B Ampleon USA Inc. LDMOST 100W 3GHz 150V SOT-1228B HEMT 14dB 50V 100mA
BLF644PU RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A Ampleon USA Inc. LDMOST 100W 860MHz 65V SOT-1228A LDMOS (Dual), Common Source 23.5dB 32V 200mA
CLF1G0035-100PU RF MOSFET HEMT 50V LDMOST Ampleon USA Inc. LDMOST 100W 3GHz 150V SOT-1228A GaN HEMT 14dB 50V 100mA
BLF645,112 RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A Ampleon USA Inc. LDMOST 100W 1.3GHz 65V 32A SOT-540A LDMOS (Dual), Common Source 16.5dB 32V 900mA
BLF4G20-110B,112 FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A NXP USA Inc. LDMOST 100W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V 12A SOT-502A LDMOS 13.5dB 28V 700mA
CLF1G0035-100P RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA NXP USA Inc. LDMOST 100W 3.5GHz 150V SOT-1228A HEMT 12.5dB 50V 330mA
CLF1G0035-100P CLF1G0035-100 - 100W BROADBAND R Rochester Electronics, LLC LDMOST 100W 3.5GHz 150V SOT-1228A HEMT 12.5dB 50V 330mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100