• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
BLP10H605Z RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Ampleon USA Inc. 12-HVSON (6x5) 5W 860MHz 104V 12-VDFN Exposed Pad LDMOS (Dual), Common Source 22.4dB 50V 30mA
BLP10H610AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Ampleon USA Inc. 12-HVSON (6x5) 10W 860MHz 104V 12-VDFN Exposed Pad LDMOS (Dual), Common Source 22dB 50V 60mA
BLP10H603Z RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Ampleon USA Inc. 12-HVSON (6x5) 2.5W 860MHz 104V 12-VDFN Exposed Pad LDMOS 22.8dB 50V 15mA
BLP10H605AZ RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Ampleon USA Inc. 12-HVSON (6x5) 5W 860MHz 104V 12-VDFN Exposed Pad LDMOS (Dual), Common Source 22.4dB 50V 30mA
BLP10H610Z RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Ampleon USA Inc. 12-HVSON (6x5) 10W 860MHz 104V 12-VDFN Exposed Pad LDMOS (Dual), Common Source 22dB 50V 60mA
BLP7G22-10,135 TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON NXP USA Inc. 12-HVSON (6x5) 2W 700MHz ~ 2.2GHz 65V 12-VDFN Exposed Pad LDMOS 27dB 28V 110mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100