• Тип корпуса
  • Производитель
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
Найдено: 6
  • TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x5)
    • Частота: 700MHz ~ 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 110mA
    • Выходная мощность: 2W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 27dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x5)
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 104V
    • Current - Test: 15mA
    • Выходная мощность: 2.5W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.8dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x5)
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 104V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 5W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 22.4dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x5)
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 104V
    • Current - Test: 60mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x5)
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 104V
    • Current - Test: 60mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 12-HVSON (6x5)
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 104V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 5W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 22.4dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: