- Тип корпуса
- Производитель
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8900EDB-T2-E1 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP | Vishay Siliconix | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) | 1W | Surface Mount | 10-UFBGA, CSPBGA | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 20V | 5.4A | Logic Level Gate | 1V @ 1.1mA | TrenchFET® |
- 10
- 15
- 50
- 100