- Выходная мощность
- Производитель
- Тип корпуса
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Коэффициент шума
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MAGX-001214-125L00 | TRANSISTOR GAN 125W 1.2-1.4GHZ | MACOM Technology Solutions | 125W | 1.2GHz ~ 1.4GHz | 65V | 4.8A | HEMT | 18.4dB | 50V | 100mA | |||
| MRF6VP2600HR5 | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 | NXP USA Inc. | NI-1230 | 125W | 225MHz | 110V | NI-1230 | LDMOS (Dual) | 25dB | 50V | 2.6A | ||
| MRF7S18125BHSR3 | FET RF 65V 1.93GHZ NI780 | NXP USA Inc. | NI-780S | 125W | 1.93GHz | 65V | NI-780S | LDMOS | 16.5dB | 28V | 1.1A | ||
| MRFE6VP8600HSR5 | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S | NXP USA Inc. | NI-1230S | 125W | 860MHz | 130V | NI-1230S | LDMOS (Dual) | 19.3dB | 50V | 1.4A | ||
| MRF7S18125AHSR3 | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S | NXP USA Inc. | NI-780S | 125W | 1.88GHz | 65V | NI-780S | LDMOS | 17dB | 28V | 1.1A | ||
| MRFE6VP8600HSR6 | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S | NXP USA Inc. | NI-1230S | 125W | 860MHz | 130V | NI-1230S | LDMOS (Dual) | 19.3dB | 50V | 1.4A | ||
| MRF7S18125AHSR5 | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S | NXP USA Inc. | NI-780S | 125W | 1.88GHz | 65V | NI-780S | LDMOS | 17dB | 28V | 1.1A | ||
| MRFE6VP8600HR6 | FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H | NXP USA Inc. | NI-1230 | 125W | 860MHz | 130V | NI-1230 | LDMOS (Dual) | 19.3dB | 50V | 1.4A |
- 10
- 15
- 50
- 100