• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 24
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
MRF21125R3 RF S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-880H-2L 125W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA SOT-957A N-Channel 13dB 28V 1.6A
MRF174 FET RF 65V 150MHZ 211-11 MACOM Technology Solutions 211-11, Style 2 125W 150MHz 65V 13A 211-11, Style 2 N-Channel 11.8dB 3dB 28V 2A
MAGX-000912-125L00 TRANSISTOR GAN 125W 960-1215MHZ MACOM Technology Solutions 125W 960MHz ~ 1.215GHz 65V 4A HEMT 18.9dB 50V 100mA
ARF440 PWR MOSFET RF N-CH 150V TO-247AD Microsemi Corporation TO-247AD 125W 13.56MHz 150V 11A TO-247-3 N-Channel 21dB 50V 200mA
MRF6VP2600HR6 FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 NXP USA Inc. NI-1230 125W 225MHz 110V NI-1230 LDMOS (Dual) 25dB 50V 2.6A
MMRF1016HR5 FET RF 2CH 120V 225MHZ NXP USA Inc. NI-1230-4H 125W 225MHz 120V SOT-979A LDMOS (Dual) 25dB 50V 2.6A
MMRF5017HSR5 RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S NXP USA Inc. NI-400S-2S 125W 30MHz ~ 2.2GHz 150V NI-400S-2S HEMT 18.4dB 50V 200mA
MRF7S18125AHR3 FET RF 65V 1.88GHZ NI780 NXP USA Inc. NI-780H-2L 125W 1.88GHz 65V SOT-957A LDMOS 17dB 28V 1.1A
MRF7S18125BHR5 FET RF 65V 1.93GHZ NI780 NXP USA Inc. NI-780H-2L 125W 1.93GHz 65V SOT-957A LDMOS 16.5dB 28V 1.1A
MRF7S18125AHR5 FET RF 65V 1.88GHZ NI780 NXP USA Inc. NI-780H-2L 125W 1.88GHz 65V SOT-957A LDMOS 17dB 28V 1.1A
MRF7S18125BHSR5 FET RF 65V 1.93GHZ NI780 NXP USA Inc. NI-780S 125W 1.93GHz 65V NI-780S LDMOS 16.5dB 28V 1.1A
MMRF5015NR5 TRANS RF N-CH 125W 50V NXP USA Inc. OM-270-2 125W 2.5GHz 125V TO-270AA HEMT 16.6dB 50V 350mA
MRFE6VP8600HR5 FET RF 2CH 130V 860MHZ NI-1230 NXP USA Inc. NI-1230 125W 860MHz 130V NI-1230 LDMOS (Dual) 19.3dB 50V 1.4A
MRF7S18125BHR3 FET RF 65V 1.93GHZ NI780 NXP USA Inc. NI-780H-2L 125W 1.93GHz 65V SOT-957A LDMOS 16.5dB 28V 1.1A
MMRF5014HR5 FET RF 125V 2.5GHZ NI360 NXP USA Inc. NI-360H-2SB 125W 2.5GHz 125V NI-360H-2SB HEMT 18dB 50V 350mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100