• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 41
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLC9G22XS-120AGWTZ BLC9G22XS-120AGWT/SOT1278/TRAYDP Ampleon USA Inc. SOT1278-1 120W 2.11GHz ~ 2.2GHz 65V 1.4µA SOT-1278-1 LDMOS (Dual), Common Source 17.1dB 28V 200mA BLC
BLS6G2731-120,112 RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A Ampleon USA Inc. SOT502A 120W 2.7GHz ~ 3.1GHz 60V 33A SOT-502A LDMOS 13.5dB 32V 100mA
BLC9G22LS-120VTZ BLC9G22LS-120VT/SOT1271/TRAYDP Ampleon USA Inc. SOT1271-2 120W 2.11GHz ~ 2.18GHz 65V 2.8µA SOT-1271-2 LDMOS 18.1dB 28V 700mA
BLC9G20LS-120VY RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753 Ampleon USA Inc. SOT-1275-3 120W 1.81GHz ~ 1.88GHz 65V SOT-1275-3 LDMOS 19.2dB 28V 700mA
BLC9G22LS-120VTY RF LDMOS TRANS 120W SOT1271 Ampleon USA Inc. SOT1271-2 120W 2.11GHz ~ 2.18GHz 65V 2.8µA SOT-1271-2 LDMOS 18.1dB 28V 700mA
BLF647,112 RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A Ampleon USA Inc. LDMOST 120W 600MHz 65V 18A SOT-540A LDMOS (Dual), Common Source 14.5dB 28V
BLC9G10XS-120AY RF LDMOS TRANS 120W SOT1273 Ampleon USA Inc. SOT1273-1 120W 920MHz ~ 960MHz 65V 1.4µA SOT-1273-1 LDMOS (Dual), Common Source 21dB 28V 120mA
MAGX-003135-120L00 FET RF 65V 3.5GHZ MACOM Technology Solutions 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 65V 9mA HEMT 11.2dB 50V 300mA
A2V07H525-04NR6 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR NXP USA Inc. OM-1230-4L 120W 595MHz ~ 851MHz 105V 10µA OM-1230-4L LDMOS 17.5dB 48V 700mA
A2V09H525-04NR6 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR NXP USA Inc. OM-1230-4L 120W 720MHz ~ 960MHz 105V 10µA OM-1230-4L LDMOS 18.9dB 48V 688mA
SD57120 FET RF 65V 960MHZ M252 STMicroelectronics M252 120W 960MHz 65V 14A M252 LDMOS 14dB 28V 800mA
CGH21120F 120W, GAN HEMT, 28V, 1.8-2.1GHZ, Wolfspeed, Inc. 440162 120W 1.8GHz ~ 2.3GHz 84V 440162 HEMT 15dB 28V 500mA GaN
CGHV35120F 120W, GAN HEMT, 50V, 3.1-3.5GHZ, Wolfspeed, Inc. 440162 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 125V 440162 HEMT 13dB 48V 220mA GaN
PTFA091201E-V4-R0 RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 Wolfspeed, Inc. H-36248-2 120W 920MHz ~ 960MHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 19dB 28V 750mA
CGH60120D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE Wolfspeed, Inc. Die 120W 6GHz 84V Die HEMT 13dB 28V 1A GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100