• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 41
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLC9G10XS-120AY RF LDMOS TRANS 120W SOT1273 Ampleon USA Inc. SOT1273-1 120W 920MHz ~ 960MHz 65V 1.4µA SOT-1273-1 LDMOS (Dual), Common Source 21dB 28V 120mA
BLF647,112 RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A Ampleon USA Inc. LDMOST 120W 600MHz 65V 18A SOT-540A LDMOS (Dual), Common Source 14.5dB 28V
BLC9G22LS-120VTZ BLC9G22LS-120VT/SOT1271/TRAYDP Ampleon USA Inc. SOT1271-2 120W 2.11GHz ~ 2.18GHz 65V 2.8µA SOT-1271-2 LDMOS 18.1dB 28V 700mA
BLC9G22XS-120AGWTZ BLC9G22XS-120AGWT/SOT1278/TRAYDP Ampleon USA Inc. SOT1278-1 120W 2.11GHz ~ 2.2GHz 65V 1.4µA SOT-1278-1 LDMOS (Dual), Common Source 17.1dB 28V 200mA BLC
BLS6G2731-120,112 RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A Ampleon USA Inc. SOT502A 120W 2.7GHz ~ 3.1GHz 60V 33A SOT-502A LDMOS 13.5dB 32V 100mA
CGH09120F RF MOSFET HEMT 28V 440095 Cree/Wolfspeed 440095 120W 2.5GHz 84V 440095 HEMT 21.5dB 28V 1.2A GaN
CGHV35120F 120W, GAN HEMT, 50V, 3.1-3.5GHZ, Cree/Wolfspeed 440162 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 125V 440162 HEMT 13dB 48V 220mA GaN
MAGX-003135-120L00 FET RF 65V 3.5GHZ MACOM Technology Solutions 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 65V 9mA HEMT 11.2dB 50V 300mA
A2V09H525-04NR6 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR NXP USA Inc. OM-1230-4L 120W 720MHz ~ 960MHz 105V 10µA OM-1230-4L LDMOS 18.9dB 48V 688mA
A2V07H525-04NR6 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR NXP USA Inc. OM-1230-4L 120W 595MHz ~ 851MHz 105V 10µA OM-1230-4L LDMOS 17.5dB 48V 700mA
SD57120 FET RF 65V 960MHZ M252 STMicroelectronics M252 120W 960MHz 65V 14A M252 LDMOS 14dB 28V 800mA
CGH40120F RF MOSFET HEMT 28V 440193 Wolfspeed, Inc. 440193 120W 0Hz ~ 4GHz 84V 28A 440193 HEMT 19dB 28V 1A GaN
CGH21120F 120W, GAN HEMT, 28V, 1.8-2.1GHZ, Wolfspeed, Inc. 440162 120W 1.8GHz ~ 2.3GHz 84V 440162 HEMT 15dB 28V 500mA GaN
CGH60120D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE Wolfspeed, Inc. Die 120W 6GHz 84V Die HEMT 13dB 28V 1A GaN
CGHV35120F 120W, GAN HEMT, 50V, 3.1-3.5GHZ, Wolfspeed, Inc. 440162 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 125V 440162 HEMT 13dB 48V 220mA GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100