• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MRF6S21050LR5 FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 Freescale Semiconductor NI-400 11.5W 2.16GHz 68V NI-400 LDMOS 16dB 28V 450mA
MRF6S21050LSR5 FET RF 68V 2.16GHZ NI-400S Freescale Semiconductor NI-400S 11.5W 2.16GHz 68V NI-400S LDMOS 16dB 28V 450mA
MRF6S21050LR3 FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 NXP USA Inc. NI-400 11.5W 2.16GHz 68V NI-400 LDMOS 16dB 28V 450mA
MRF6S21050LR5 FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 NXP USA Inc. NI-400 11.5W 2.16GHz 68V NI-400 LDMOS 16dB 28V 450mA
MRF6S21050LSR3 FET RF 68V 2.16GHZ NI-400S NXP USA Inc. NI-400S 11.5W 2.16GHz 68V NI-400S LDMOS 16dB 28V 450mA
MRF6S21050LSR5 FET RF 68V 2.16GHZ NI-400S NXP USA Inc. NI-400S 11.5W 2.16GHz 68V NI-400S LDMOS 16dB 28V 450mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100