- Выходная мощность
- Производитель
- Тип корпуса
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: NI-360HF
- Тип корпуса: NI-360HF
- Частота: 3.55GHz
- Номинальное напряжение: 15V
- Current - Test: 180mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: pHEMT FET
- Усиление: 10dB
- Voltage - Test: 12V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440196
- Тип корпуса: 440196
- Частота: 8GHz
- Номинальное напряжение: 120V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 16.7dB
- Voltage - Test: 28V
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Частота: 3.5GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 30mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 50V
- Номинальный ток: 500mA
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270-2
- Тип корпуса: TO-270-2
- Частота: 880MHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 350mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 22.7dB
- Voltage - Test: 28V
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-200Z
- Тип корпуса: NI-200Z
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 75mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 11.5dB
- Voltage - Test: 26V
- 10
- 15
- 50
- 100