• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 95
  • FET RF 68V 960MHZ TO270
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-2
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 125mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-360HF
    • Тип корпуса: NI-360HF
    • Частота: 3.55GHz
    • Номинальное напряжение: 15V
    • Current - Test: 180mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TM-10 - 10W BROADBAND RF POWER G
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1227B
    • Тип корпуса: SOT1227B
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 960MHZ TO-270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-2
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 125mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2.68GHZ H-32259-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: GOLDMOS®
    • Package / Case: H-32259-2
    • Тип корпуса: H-32259-2
    • Частота: 2.68GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 180mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CLF1G0060-10 - 10W BROADBAND RF
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1227B
    • Тип корпуса: SOT1227B
    • Частота: 6GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: GOLDMOS®
    • Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
    • Тип корпуса: PG-RFP-10
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 180mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-360S
    • Тип корпуса: NI-360S
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 960MHZ H-32259-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: GOLDMOS®
    • Package / Case: H-32259-2
    • Тип корпуса: H-32259-2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
    • Тип корпуса: PowerSO-10RF (Straight Lead)
    • Частота: 870MHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 300mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.3dB
    • Voltage - Test: 13.6V
    • Номинальный ток: 7A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2.17GHZ NI-360
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-360
    • Тип корпуса: NI-360
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AA
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 880MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 350mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.7dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    • Тип корпуса: PowerSO-10RF (Formed Lead)
    • Частота: 2GHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 11dB
    • Voltage - Test: 13.6V
    • Номинальный ток: 5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
    • Номинальное напряжение: 75V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 36V
    • Номинальный ток: 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: