• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 95
  • FET RF 40V 870MHZ
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
    • Тип корпуса: PowerSO-10RF (Straight Lead)
    • Частота: 870MHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 300mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.3dB
    • Voltage - Test: 13.6V
    • Номинальный ток: 7A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 85mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    • Номинальный ток: 2.2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 2.17GHZ TO272-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272-4
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 960MHZ
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270BA
    • Тип корпуса: TO-270-2 GULL
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 125mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AA
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 880MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 350mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.7dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-538A
    • Тип корпуса: 2-CSMD
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 85mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    • Номинальный ток: 2.2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2GHZ NI-200S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-200S
    • Тип корпуса: NI-200S
    • Частота: 2GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 75mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 11.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
    • Тип корпуса: PowerSO-10RF (Straight Lead)
    • Частота: 2GHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 11dB
    • Voltage - Test: 13.6V
    • Номинальный ток: 5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 2.12GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS SOT975C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-975C
    • Тип корпуса: SOT-975C
    • Частота: 3.4GHz ~ 3.8GHz
    • Номинальное напряжение: 28V
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 880MHZ TO-272-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272-2
    • Тип корпуса: TO-272-2
    • Частота: 880MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 350mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.7dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1227A
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Частота: 3GHz ~ 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-538A
    • Тип корпуса: 2-CSMD
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 85mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    • Номинальный ток: 2.2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270BA
    • Тип корпуса: TO-270-2 GULL
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 130mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    • Тип корпуса: PowerSO-10RF (Formed Lead)
    • Частота: 2GHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 11dB
    • Voltage - Test: 13.6V
    • Номинальный ток: 5A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: