- Выходная мощность
- Производитель
- Тип корпуса
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PTFA181001GL V1 | IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 | Infineon Technologies | PG-63248-2 | 100W | 1.88GHz | 65V | 1µA | 2-Flatpack, Fin Leads | LDMOS | 16.5dB | 28V | 750mA | |
| MRF5S9101MR1 | FET RF 68V 960MHZ TO2704 | NXP USA Inc. | TO-270 WB-4 | 100W | 960MHz | 68V | TO-270AB | LDMOS | 17.5dB | 26V | 700mA | ||
| MMRF1305HR5 | FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4 | NXP USA Inc. | NI-780-4 | 100W | 512MHz | 133V | NI-780-4 | LDMOS (Dual) | 26dB | 50V | 100mA |
- 10
- 15
- 50
- 100