• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 84
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
CLF1G0035S-100PU RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B Ampleon USA Inc. LDMOST 100W 3GHz 150V SOT-1228B HEMT 14dB 50V 100mA
CGHV27100F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Cree/Wolfspeed 440162 100W 2.5GHz ~ 2.7GHz 50V 6A 440162 HEMT 18dB 50V 500mA GaN
PXAC241002FC-V1-R250 100W, SI LDMOS, 28V, 2300-2400MH Cree/Wolfspeed H-37248C-4 100W 2.3GHz ~ 2.4GHz 65V 10µA H-37248C-4 LDMOS (Dual), Common Source 15.5dB 28V 230mA
CGHV22100F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Cree/Wolfspeed 440162 100W 1.8GHz ~ 2.2GHz 125V 6A 440162 HEMT 20dB 50V 500mA GaN
CGH40090PP RF MOSFET HEMT 28V 440199 Cree/Wolfspeed 440199 100W 0Hz ~ 4GHz 84V 28A 440199 HEMT 12.5dB 28V 1A GaN
ARF463BP1G RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 Microsemi Corporation TO-247 100W 81.36MHz 500V 9A TO-247-3 N-Channel 15dB 125V
ARF463AG RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 Microsemi Corporation TO-247 100W 81.36MHz 500V 9A TO-247-3 N-Channel 15dB 125V 50mA
ARF463BG RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 Microsemi Corporation TO-247 100W 81.36MHz 500V 9A TO-247-3 N-Channel 15dB 125V 50mA
SD56120C FET RF 72V 860MHZ M246 STMicroelectronics M246 100W 860MHz 72V 14A M246 LDMOS 16dB 28V 400mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100