• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 84
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLF645,112 RF FET LDMOS 65V 16DB SOT540A Ampleon USA Inc. LDMOST 100W 1.3GHz 65V 32A SOT-540A LDMOS (Dual), Common Source 16.5dB 32V 900mA
CLF1G0035-100PU RF MOSFET HEMT 50V LDMOST Ampleon USA Inc. LDMOST 100W 3GHz 150V SOT-1228A GaN HEMT 14dB 50V 100mA
PTFA181001HL V1 IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 Infineon Technologies PG-64248-2 100W 1.88GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 16.5dB 28V 750mA
PTFA181001GL V1 R250 IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 Infineon Technologies PG-63248-2 100W 1.88GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 16.5dB 28V 750mA
PTFA181001GL V1 IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 Infineon Technologies PG-63248-2 100W 1.88GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 16.5dB 28V 750mA
ARF463BP1G RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 Microchip Technology TO-247 100W 81.36MHz 500V 9A TO-247-3 N-Channel 15dB 125V
ARF463BG RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 Microchip Technology TO-247 100W 81.36MHz 500V 9A TO-247-3 N-Channel 15dB 125V 50mA
ARF463AP1G RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 Microsemi Corporation TO-247 100W 81.36MHz 500V 9A TO-247-3 N-Channel 15dB 125V
CLF1G0035-100,112 RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA NXP USA Inc. SOT467C 100W 3GHz 150V SOT-467C GaN HEMT 12dB 50V 330mA
A3T09S100NR1 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO NXP USA Inc. TO-270-2 100W 136MHz ~ 941MHz 65V 10µA TO-270-2 LDMOS 22.8dB 28V 450mA
MRF5S9101MR1 FET RF 68V 960MHZ TO2704 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 100W 960MHz 68V TO-270AB LDMOS 17.5dB 26V 700mA
MMRF1305HR5 FET RF 2CH 133V 512MHZ NI-780-4 NXP USA Inc. NI-780-4 100W 512MHz 133V NI-780-4 LDMOS (Dual) 26dB 50V 100mA
MMRF1305HSR5 FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780S-4 NXP USA Inc. NI-780S-4L 100W 512MHz 133V NI-780S-4L LDMOS (Dual) 26dB 50V 100mA
MRF8P9300HSR6 FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS NXP USA Inc. NI-1230S 100W 960MHz 70V NI-1230S LDMOS (Dual) 19.4dB 28V 2.4A
MRFE6VP100HR5 RF MOSFET LDMOS 50V NI780-4 NXP USA Inc. NI-780-4 100W 512MHz 133V NI-780-4 LDMOS 26dB 50V 100mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100