-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4310BDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC | Vishay Siliconix | 14-SOIC | 1.14W, 1.47W | Surface Mount | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 30V | 7.5A, 9.8A | Logic Level Gate | 11mOhm @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 18nC @ 4.5V | 2370pF @ 15V | TrenchFET® |
| SI4340DY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SO | Vishay Siliconix | 14-SOIC | 1.14W, 1.43W | Surface Mount | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 20V | 7.3A, 9.9A | Logic Level Gate | 12mOhm @ 9.6A, 10V | 2V @ 250µA | 15nC @ 4.5V | TrenchFET® | |
| SI4340CDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC | Vishay Siliconix | 14-SOIC | 3W, 5.4W | Surface Mount | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 20V | 14.1A, 20A | Logic Level Gate | 9.4mOhm @ 11.5A, 10V | 3V @ 250µA | 32nC @ 10V | 1300pF @ 10V | TrenchFET® |
- 10
- 15
- 50
- 100