-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MRFE8VP8600HSR5 | BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS | NXP USA Inc. | NI-1230-4S | 140W | 860MHz | 115V | 20µA | NI-1230-4S | LDMOS | 21dB | 50V | 1.4A |
BLF2425M7LS140,112 | RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI | NXP USA Inc. | SOT502B | 140W | 2.45GHz | 65V | SOT-502B | LDMOS | 18.5dB | 28V | 1.3A | |
BLF2425M8LS140112 | NOW AMPLEON, BLF2425M8LS140, POW | NXP USA Inc. | 140W | 2.45GHz | 65V | LDMOS | 19dB | 28V | 1.3A | |||
MMRF1311HR5 | TRANS 470-860MHZ 600W 50V | NXP USA Inc. | NI-1230-4H | 140W | 470MHz ~ 860MHz | 50V | SOT-979A | LDMOS | 20dB |
- 10
- 15
- 50
- 100