• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
MW6S010GMR1 FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW NXP USA Inc. TO-270-2 GULL 10W 960MHz 68V TO-270BA LDMOS 18dB 28V 125mA
MRF21045LR5 FET RF 65V 2.17GHZ NI-400 NXP USA Inc. NI-400 10W 2.16GHz ~ 2.17GHz 65V NI-400 LDMOS 15dB 28V 500mA
MMRF1015NR1 FET RF 68V 960MHZ TO270 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 960MHz 68V TO-270-2 LDMOS 18dB 28V 125mA
MW6S010MR1 FET RF 68V 960MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 960MHz 68V TO-270-2 LDMOS 18dB 28V 125mA
MRF5P21045NR1 FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 10W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V TO-270AB LDMOS (Dual) 14.5dB 28V 500mA
MRF21010LSR5 FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S NXP USA Inc. NI-360S 10W 2.17GHz 65V NI-360S LDMOS 13.5dB 28V 100mA
MRF21010LR5 FET RF 65V 2.17GHZ NI-360 NXP USA Inc. NI-360 10W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V NI-360 LDMOS 13.5dB 28V 100mA
MRF6V2010NR1 FET RF 110V 220MHZ TO270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 220MHz 110V TO-270AA LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MMRF1004GNR1 FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2 NXP USA Inc. TO-270-2 GULL 10W 2.17GHz 68V TO-270BA LDMOS 15.5dB 28V 130mA
MRF6V2010GNR1 FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2 NXP USA Inc. TO-270G-2 10W 220MHz 110V TO-270BA LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MW6S010NR1 FET RF 68V 960MHZ TO270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 960MHz 68V TO-270AA LDMOS 18dB 28V 125mA
MRF21010LSR1 FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S NXP USA Inc. NI-360S 10W 2.17GHz 65V NI-360S LDMOS 13.5dB 28V 100mA
MRF6S9045NBR1 FET RF 68V 880MHZ TO-272-2 NXP USA Inc. TO-272-2 10W 880MHz 68V TO-272BC LDMOS 22.7dB 28V 350mA
MRF7P20040HSR5 FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 NXP USA Inc. NI-780S-4L 10W 2.03GHz 65V NI-780S-4L LDMOS (Dual) 18.2dB 32V 150mA
MRF6S9045MR1 FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 880MHz 68V TO-270-2 LDMOS 22.7dB 28V 350mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100