• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ)
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2560pF @ 1000V
• Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 273W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
• Напряжение затвора (макс): +25V, -10V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: CoolMOS™
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP3
• Тип корпуса: SP3
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 95A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 462W

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP6
• Тип корпуса: SP6
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 200A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 10mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1360nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1250W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
• Тип корпуса: SOT-227
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 290W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 8™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Тип корпуса: D3Pak
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3630pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 335W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-267AB
• Тип корпуса: TO-267AB
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 4W (Ta), 125W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2910pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS V®
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
• Тип корпуса: TO-264 [L]
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 510nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7900pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3 Variant
• Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 14A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5185pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 690W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP3
• Тип корпуса: SP3
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V (1kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 390W

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP1
• Тип корпуса: SP1
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 276mOhm @ 17A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5316pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 208W

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/557
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 18-CLCC
• Тип корпуса: 18-ULCC (9.14x7.49)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07nC @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 800mW (Ta), 25W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 8™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2606pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 337W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1585pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 156W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
• Тип корпуса: TO-264 [L]
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 24A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9330pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1135W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V