- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/542
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 5.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4W (Ta), 75W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 8™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Тип корпуса: TO-247 [B]
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11300pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1040W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 60A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 700V
- Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 556W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
- Напряжение затвора (макс): +25V, -10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/562
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4W (Ta), 75W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS V®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Тип корпуса: D3 [S]
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6120pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/601
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: 18-CLCC
- Тип корпуса: 18-ULCC (9.14x7.49)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 8A, 12V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 12V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 25W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: D-3 Module
- Тип корпуса: D3
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ)
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 1000V
- Мощность - Макс.: 625W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Тип корпуса: D3Pak
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 1mA (Typ)
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2560pF @ 1000V
- Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 273W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
- Напряжение затвора (макс): +25V, -10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 11.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 51A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 390W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 580A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 290A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 15mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 840nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 43300pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2270W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Package / Case: M177
- Тип корпуса: M177
- Частота: 30MHz
- Номинальное напряжение: 250V
- Current - Test: 250mA
- Выходная мощность: 300W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 22dB
- Voltage - Test: 100V
- Номинальный ток: 20A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Частота: 45MHz
- Номинальное напряжение: 500V
- Current - Test: 250µA
- Выходная мощность: 350W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 150V
- Номинальный ток: 30A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3261pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 403W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 80A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ)
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 197nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 1000V
- Мощность - Макс.: 500W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100