- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 26A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 568W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 5.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4W (Ta), 75W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4367pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 312W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 8™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: ISOTOP®
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 60A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 600nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 24000pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 960W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6
- Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 60A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 3mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 408nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7680pF @ 1000V
- Мощность - Макс.: 714W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS V®
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: ISOTOP®
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 97A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 435nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/543
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AE
- Тип корпуса: TO-204AE (TO-3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4W (Ta), 150W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: CoolMOS™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Тип канала: 4 N-Channel (H-Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 39A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 250W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 45A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 22.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 568W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 12A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6696pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 357W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: ISOTOP®
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 44A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 694W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 18-CLCC
- Тип корпуса: 18-ULCC (9.14x7.49)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 800mW (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/555
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AF Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 800mW (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V (1kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 18A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 305nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7868pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 390W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100