• Производитель: Microsemi Corporation
• Package / Case: M174
• Тип корпуса: M174
• Частота: 30MHz
• Номинальное напряжение: 80V
• Current - Test: 250mA
• Выходная мощность: 150W
• Тип транзистора: N-Channel
• Усиление: 20dB
• Voltage - Test: 28V
• Номинальный ток: 20A

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
• Тип корпуса: ISOTOP®
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 550V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 31.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 205nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9165pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 595W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 8™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
• Тип корпуса: TO-264 [L]
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 37A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11600pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1040W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AF Metal Can
• Тип корпуса: TO-39
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.29nC @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 800mW (Ta), 25W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 7®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3 Variant
• Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4360pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AF Metal Can
• Тип корпуса: TO-39
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.25A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 800mW (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS V®
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 [B]
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5280pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: POWER MOS 8™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
• Тип корпуса: SOT-227
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 340nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10800pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 543W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP6
• Тип корпуса: SP6
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 10mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 1250W

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP1
• Тип корпуса: SP1
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 416W

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP6
• Тип корпуса: SP6
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 30A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 10mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 748nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20600pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1250W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3 Variant
• Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 340nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1135W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Super Junction
• Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 59A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 52A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 540nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 100V
• Мощность - Макс.: 462W

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP3
• Тип корпуса: SP3
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 72A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 416W

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/542
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 9A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 4W (Ta), 75W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V