- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7015pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 290W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 8™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: ISOTOP®
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 16A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 462W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: ISOTOP®
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 104A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 52A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6850pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220 [K]
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 500µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 225W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4360pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 378W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 21.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5630pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 816mOhm @ 12A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6696pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 357W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: ISOTOP®
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 29A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8930pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 595W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP1
- Тип корпуса: SP1
- Тип канала: 4 N-Channel (H-Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 39A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 250W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/543
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
- Тип корпуса: TO-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4W (Ta), 150W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/592
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-267AB
- Тип корпуса: TO-267AB
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 27.4A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 27.4A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4W (Ta), 150W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP3
- Тип корпуса: SP3
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 39A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 39A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 259nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 250W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AE
- Тип корпуса: TO-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4W (Ta), 150W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Тип корпуса: T-MAX™ [B2]
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7010pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 694W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247 [B]
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 265W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100