- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/630
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
- Package / Case: TO-205AF Metal Can
- Тип корпуса: TO-205AF (TO-39)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 12V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 12V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 25W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 8™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Тип корпуса: D3Pak
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4415pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 415W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 28A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11300pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1040W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 8™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Тип корпуса: D3Pak
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5710pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 694W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/557
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AF Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 34.75nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 800mW (Ta), 25W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Тип канала: 4 N-Channel (H-Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 89A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6850pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 357W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6-P
- Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 104A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7220pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 390W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
- Тип корпуса: TO-264 [L]
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 14A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9670pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1135W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 208A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 104A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 781W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: CoolMOS™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Тип канала: 2 N Channel (Phase Leg)
- FET Feature: Super Junction
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 95A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 47.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 462W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247 [B]
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP4
- Тип корпуса: SP4
- Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 139A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 69.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9875pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 390W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SP6
- Тип корпуса: SP6
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 25A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 6mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 600nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 15200pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 1250W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/564
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AF Metal Can
- Тип корпуса: TO-205AF (TO-39)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 800mW (Ta), 25W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100