-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LND250K1-G | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | Microchip Technology | SOT-23 (TO-236AB) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 360mW (Ta) | 500V | 13mA (Tj) | Depletion Mode | 1000Ohm @ 500µA, 0V | 0V | 10pF @ 25V | ±20V | |
| TN5335K1-G | MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3 | Microchip Technology | SOT-23 (TO-236AB) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 360mW (Ta) | 350V | 110mA (Tj) | 15Ohm @ 200mA, 10V | 3V, 10V | 2V @ 1mA | 110pF @ 25V | ±20V | |
| 2N7002-G | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3 | Microchip Technology | SOT-23 (TO-236AB) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 360mW (Ta) | 60V | 115mA (Tj) | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | 5V, 10V | 2.5V @ 250µA | 50pF @ 25V | ±30V |
- 10
- 15
- 50
- 100