• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Рабочая температура
Тип канала
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
MCMNP517-TP MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A Micro Commercial Co DFN2020-6U Surface Mount 6-VDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel 12V 6A, 4.1A Logic Level Gate, 1.8V Drive 24mOhm @ 6A, 10V 1V @ 250µA 12nC @ 10V 630pF @ 10V
MCMP06-TP MOSFET P+SKY DFN2020-6U Micro Commercial Co DFN2020-6U Surface Mount 6-VDFN Exposed Pad 150°C (TJ) P-Channel 2A (Ta) Schottky Diode (Isolated) 110mOhm @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250µA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100