-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MCMNP517-TP | MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A | Micro Commercial Co | DFN2020-6U | Surface Mount | 6-VDFN Exposed Pad | -55°C ~ 150°C (TJ) | N and P-Channel | 12V | 6A, 4.1A | Logic Level Gate, 1.8V Drive | 24mOhm @ 6A, 10V | 1V @ 250µA | 12nC @ 10V | 630pF @ 10V |
MCMP06-TP | MOSFET P+SKY DFN2020-6U | Micro Commercial Co | DFN2020-6U | Surface Mount | 6-VDFN Exposed Pad | 150°C (TJ) | P-Channel | 2A (Ta) | Schottky Diode (Isolated) | 110mOhm @ 2.8A, 4.5V | 1V @ 250µA |
- 10
- 15
- 50
- 100