Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
LSIC1MO120E0160 SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3 Littelfuse Inc. TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 125W (Tc) 1200V 22A (Tc) 200mOhm @ 10A, 20V 20V 4V @ 5mA 57nC @ 20V 870pF @ 800V +22V, -6V
LSIC1MO120E0120 SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3 Littelfuse Inc. TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 139W (Tc) 1200V 27A (Tc) 150mOhm @ 14A, 20V 20V 4V @ 7mA 80nC @ 20V 1125pF @ 800V +22V, -6V
LSIC1MO120E0080 MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3 Littelfuse Inc. TO-247-3 Through Hole TO-247-3 SiCFET (Silicon Carbide) -55°C ~ 150°C N-Channel 179W (Tc) 1200V 39A (Tc) 100mOhm @ 20A, 20V 20V 4V @ 10mA 95nC @ 20V 1825pF @ 800V +22V, -6V