Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Littelfuse Inc.

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 5
  • LSIC1MO170E1000
    MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L
    Littelfuse Inc.
    • Производитель: Littelfuse Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3L
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 1000V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 54W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
    • Напряжение затвора (макс): +22V, -6V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LSIC1MO120E0160
    SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
    Littelfuse Inc.
    • Производитель: Littelfuse Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 800V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): +22V, -6V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LSIC1MO120E0120
    SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
    Littelfuse Inc.
    • Производитель: Littelfuse Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 7mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1125pF @ 800V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 139W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): +22V, -6V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SYC0102BLT1G
    SCR 0.25A GATE SCR
    Littelfuse Inc.
    • Производитель: Littelfuse Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LSIC1MO120E0080
    MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3
    Littelfuse Inc.
    • Производитель: Littelfuse Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1825pF @ 800V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 179W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): +22V, -6V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100