- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LSIC1MO170E1000 | MOSFET SIC 1700V N-CH TO-247-3L | Littelfuse Inc. | TO-247-3L | Through Hole | TO-247-3 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 54W (Tc) | 1700V | 5A (Tc) | 1Ohm @ 2A, 20V | 15V, 20V | 4V @ 1mA | 15nC @ 20V | 200pF @ 1000V | +22V, -6V |
| LSIC1MO120E0160 | SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3 | Littelfuse Inc. | TO-247-3 | Through Hole | TO-247-3 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 125W (Tc) | 1200V | 22A (Tc) | 200mOhm @ 10A, 20V | 20V | 4V @ 5mA | 57nC @ 20V | 870pF @ 800V | +22V, -6V |
| LSIC1MO120E0120 | SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3 | Littelfuse Inc. | TO-247-3 | Through Hole | TO-247-3 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 139W (Tc) | 1200V | 27A (Tc) | 150mOhm @ 14A, 20V | 20V | 4V @ 7mA | 80nC @ 20V | 1125pF @ 800V | +22V, -6V |
| SYC0102BLT1G | SCR 0.25A GATE SCR | Littelfuse Inc. | |||||||||||||||
| LSIC1MO120E0080 | MOSFET SIC 1200V 39A TO247-3 | Littelfuse Inc. | TO-247-3 | Through Hole | TO-247-3 | SiCFET (Silicon Carbide) | -55°C ~ 150°C | N-Channel | 179W (Tc) | 1200V | 39A (Tc) | 100mOhm @ 20A, 20V | 20V | 4V @ 10mA | 95nC @ 20V | 1825pF @ 800V | +22V, -6V |
- 10
- 15
- 50
- 100