Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS TO-220AB (IXFP)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 6
  • IXFP60N25X3
    MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB (IXFP)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3610pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 320W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFP60N25X3M
    MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB (IXFP)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3610pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 36W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFP80N25X3
    MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB (IXFP)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5430pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 390W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFP4N85X
    MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB (IXFP)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 850V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 247pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFP14N85X
    MOSFET N-CH 850V 14A TO220AB
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB (IXFP)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 850V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1043pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 460W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFP8N85X
    MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB (IXFP)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 850V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 654pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 200W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100