-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTP8N70X2 | MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220 | IXYS | TO-220-3 | Through Hole | TO-220-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 150W (Tc) | 700V | 8A (Tc) | 500mOhm @ 500mA, 10V | 10V | 5V @ 250µA | 12nC @ 10V | 800pF @ 10V | ±30V |
| IXTP32N65XM | MOSFET N-CH 650V 14A TO-220 | IXYS | TO-220-3 | Through Hole | TO-220-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 78W (Tc) | 650V | 14A (Tc) | 135mOhm @ 16A, 10V | 10V | 5.5V @ 250µA | 54nC @ 10V | 2206pF @ 25V | ±30V |
| IXTP32N65X | MOSFET N-CH 650V 32A TO-220 | IXYS | TO-220-3 | Through Hole | TO-220-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 500W (Tc) | 650V | 32A (Tc) | 135mOhm @ 16A, 10V | 10V | 5.5V @ 250µA | 54nC @ 10V | 2205pF @ 25V | ±30V |
- 10
- 15
- 50
- 100