• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
IXFM35N30 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AE Through Hole TO-204AE MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 300V 35A (Tc) 100mOhm @ 17.5A, 10V 10V 4V @ 4mA 200nC @ 10V 4800pF @ 25V ±20V HiPerFET™
IXFM67N10 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AE Through Hole TO-204AE MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 100V 67A (Tc) 25mOhm @ 33.5A, 10V 10V 4V @ 4mA 260nC @ 10V 4500pF @ 25V ±20V HiPerFET™
IXFM42N20 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AE Through Hole TO-204AE MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 200V 42A (Tc) 60mOhm @ 21A, 10V 10V 4V @ 4mA 220nC @ 10V 4400pF @ 25V ±20V HiPerFET™
IXTM40N30 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AE Through Hole TO-204AE MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 300V 40A (Tc) 88mOhm @ 20A, 10V 10V 4V @ 250µA 220nC @ 10V 4600pF @ 25V ±20V GigaMOS™
IXTM67N10 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AE Through Hole TO-204AE MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 100V 67A (Tc) 25mOhm @ 33.5A, 10V 10V 4V @ 4mA 260nC @ 10V 4500pF @ 25V ±20V GigaMOS™
IXFM15N60 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AE Through Hole TO-204AE MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 600V 15A (Tc) 500mOhm @ 7.5A, 10V 10V 4.5V @ 4mA 170nC @ 10V 4500pF @ 25V ±20V HiPerFET™
IXTM50N20 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AE Through Hole TO-204AE MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 200V 50A (Tc) 45mOhm @ 25A, 10V 10V 4V @ 250µA 220nC @ 10V 4600pF @ 25V ±20V GigaMOS™
IXTM35N30 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AE Through Hole TO-204AE MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 300V 35A (Tc) 100mOhm @ 17.5A, 10V 10V 4V @ 250µA 220nC @ 10V 4600pF @ 25V ±20V GigaMOS™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100