• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
IXFM11N80 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AA Through Hole TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 800V 11A (Tc) 950mOhm @ 5.5A, 10V 10V 4.5V @ 4mA 155nC @ 10V 4200pF @ 25V ±20V HiPerFET™
IXTM12N100 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AA Through Hole TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 1000V 12A (Tc) 1.05Ohm @ 6A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 170nC @ 10V 4000pF @ 25V ±20V GigaMOS™
IXTM6N90A POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AA Through Hole TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 180W (Tc) 900V 6A (Tc) 1.4Ohm @ 3A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 130nC @ 10V 2600pF @ 25V ±20V
IXTM11N80 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AA Through Hole TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 800V 11A (Tc) 950mOhm @ 5.5A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 170nC @ 10V 4500pF @ 25V ±20V GigaMOS™
IXFM10N90 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AA Through Hole TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 900V 10A (Tc) 1.1Ohm @ 5A, 10V 10V 4.5V @ 4mA 155nC @ 10V 4200pF @ 25V ±20V HiPerFET™
IXTM5N100 POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AA Through Hole TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 180W (Tc) 1000V 5A (Tc) 2.4Ohm @ 2.5A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 130nC @ 10V 2600pF @ 25V ±20V
IXTM5N100A POWER MOSFET TO-3 IXYS TO-204AA Through Hole TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 180W (Tc) 1000V 5A (Tc) 2Ohm @ 2.5A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 130nC @ 10V 2600pF @ 25V ±20V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100