-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTX400N15X4 | MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247 | IXYS | PLUS247™ | Through Hole | TO-247-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 1500W (Tc) | 150V | 400A (Tc) | 3.1mOhm @ 100A, 10V | 10V | 4.5V @ 1mA | 430nC @ 10V | 14500pF @ 25V | ±20V | |
| IXFX52N100X | MOSFET 1KV 52A ULTRA JCT PLUS247 | IXYS | PLUS247™ | Through Hole | TO-247-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 1250W (Tc) | 1000V | 52A (Tc) | 125mOhm @ 26A, 10V | 10V | 6V @ 4mA | 245nC @ 10V | 6725pF @ 25V | ±30V | HiPerFET™ |
- 10
- 15
- 50
- 100