Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS ISOPLUSi5-Pak™

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 9
  • IXTL2N470
    MOSFET N-CH
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип корпуса: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 4700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6860pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 220W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTL2N450
    MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип корпуса: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 4500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 156nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 220W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTL2X240N055T
    MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: TrenchMV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип корпуса: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 140A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 150W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTL2X180N10T
    MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: Trench™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип корпуса: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 151nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 150W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTL2X200N085T
    MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: TrenchMV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип корпуса: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 85V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 112A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 150W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFL38N100P
    MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarP2™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип корпуса: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 19A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 24000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFL32N120P
    MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarP2™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип корпуса: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 16A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 21000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTL2X220N075T
    MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: TrenchMV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип корпуса: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 150W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFL30N120P
    MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarP2™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип корпуса: ISOPLUSi5-Pak™
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 15A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 310nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 357W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100