-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTL2N470 | MOSFET N-CH | IXYS | ISOPLUSi5-Pak™ | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 220W (Tc) | 4700V | 2A (Tc) | 20Ohm @ 1A, 10V | 10V | 6V @ 250µA | 180nC @ 10V | 6860pF @ 25V | ±20V | |||
| IXTL2N450 | MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK | IXYS | ISOPLUSi5-Pak™ | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 220W (Tc) | 4500V | 2A (Tc) | 23Ohm @ 1A, 10V | 10V | 6V @ 250µA | 156nC @ 10V | 6900pF @ 25V | ±20V | |||
| IXTL2X240N055T | MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5 | IXYS | ISOPLUSi5-Pak™ | 150W | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ | -55°C ~ 175°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 55V | 140A | Standard | 4.4mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 170nC @ 10V | 7600pF @ 25V | TrenchMV™ | ||||
| IXTL2X180N10T | MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK | IXYS | ISOPLUSi5-Pak™ | 150W | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ | -55°C ~ 175°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 100V | 100A | Standard | 7.4mOhm @ 50A, 10V | 4.5V @ 250µA | 151nC @ 10V | 6900pF @ 25V | Trench™ | ||||
| IXTL2X200N085T | MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK | IXYS | ISOPLUSi5-Pak™ | 150W | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ | -55°C ~ 175°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 85V | 112A | Standard | 6mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 152nC @ 10V | 7600pF @ 25V | TrenchMV™ | ||||
| IXFL38N100P | MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK | IXYS | ISOPLUSi5-Pak™ | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 520W (Tc) | 1000V | 29A (Tc) | 230mOhm @ 19A, 10V | 10V | 6.5V @ 1mA | 350nC @ 10V | 24000pF @ 25V | ±30V | HiPerFET™, PolarP2™ | ||
| IXFL32N120P | MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK | IXYS | ISOPLUSi5-Pak™ | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 520W (Tc) | 1200V | 24A (Tc) | 340mOhm @ 16A, 10V | 10V | 6.5V @ 1mA | 360nC @ 10V | 21000pF @ 25V | ±30V | HiPerFET™, PolarP2™ | ||
| IXTL2X220N075T | MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK | IXYS | ISOPLUSi5-Pak™ | 150W | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ | -55°C ~ 175°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 75V | 120A | Standard | 5.5mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 250µA | 165nC @ 10V | 7700pF @ 25V | TrenchMV™ | ||||
| IXFL30N120P | MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK | IXYS | ISOPLUSi5-Pak™ | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 357W (Tc) | 1200V | 18A (Tc) | 380mOhm @ 15A, 10V | 10V | 6.5V @ 1mA | 310nC @ 10V | 19000pF @ 25V | ±30V | HiPerFET™, PolarP2™ |
- 10
- 15
- 50
- 100