Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS Die

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 12
  • IXTD1R4N60P 11
    MOSFET N-CH 600V
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 700mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFD14N100-8X
    MOSFET N-CHANNEL 1000V DIE
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFD80N20Q-8XQ
    MOSFET N-CHANNEL 200V DIE
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFD26N50Q-72
    MOSFET N-CHANNEL 500V DIE
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFD23N60Q-72
    MOSFET N-CHANNEL 600V DIE
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTD5N100A
    MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTD4N80P-3J
    MOSFET N-CH 800
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFD80N10Q-8XQ
    MOSFET N-CHANNEL 100V DIE
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTD2N60P-1J
    MOSFET N-CH 600
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 56W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFD40N30Q-72
    MOSFET N-CHANNEL 300V DIE
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTD3N50P-2J
    MOSFET N-CH 500
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 409pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 70W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTD3N60P-2J
    MOSFET N-CH 600
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 411pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 70W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100