-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTD1R4N60P 11 | MOSFET N-CH 600V | IXYS | Die | Surface Mount | Die | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 50W (Tc) | 600V | 1.4A (Tc) | 9Ohm @ 700mA, 10V | 10V | 5.5V @ 25µA | 5.2nC @ 10V | 140pF @ 25V | ±30V | PolarHV™ |
| IXFD14N100-8X | MOSFET N-CHANNEL 1000V DIE | IXYS | Die | Die | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 1000V | HiPerFET™ | ||||||||||
| IXFD80N20Q-8XQ | MOSFET N-CHANNEL 200V DIE | IXYS | Die | Die | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | N-Channel | 200V | HiPerFET™ | |||||||||
| IXFD26N50Q-72 | MOSFET N-CHANNEL 500V DIE | IXYS | Die | Die | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 500V | HiPerFET™ | ||||||||||
| IXFD23N60Q-72 | MOSFET N-CHANNEL 600V DIE | IXYS | Die | Die | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 600V | HiPerFET™ | ||||||||||
| IXTD5N100A | MOSFET N-CH 1000V 5A DIE | IXYS | Die | Surface Mount | Die | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 1000V | 5A (Tc) | |||||||||
| IXTD4N80P-3J | MOSFET N-CH 800 | IXYS | Die | Surface Mount | Die | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 100W (Tc) | 800V | 3.6A (Tc) | 3.4Ohm @ 1.8A, 10V | 10V | 5.5V @ 100µA | 14.2nC @ 10V | 750pF @ 25V | ±30V | PolarHV™ |
| IXFD80N10Q-8XQ | MOSFET N-CHANNEL 100V DIE | IXYS | Die | Die | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | N-Channel | 100V | HiPerFET™ | |||||||||
| IXTD2N60P-1J | MOSFET N-CH 600 | IXYS | Die | Surface Mount | Die | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 56W (Tc) | 600V | 2A (Tc) | 5.1Ohm @ 1A, 10V | 10V | 5V @ 250µA | 7nC @ 10V | 240pF @ 25V | ±30V | PolarHV™ |
| IXFD40N30Q-72 | MOSFET N-CHANNEL 300V DIE | IXYS | Die | Die | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 300V | HiPerFET™ | ||||||||||
| IXTD3N50P-2J | MOSFET N-CH 500 | IXYS | Die | Surface Mount | Die | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 70W (Tc) | 500V | 3A (Tc) | 2Ohm @ 1.5A, 10V | 10V | 5.5V @ 50µA | 9.3nC @ 10V | 409pF @ 25V | ±30V | PolarHV™ |
| IXTD3N60P-2J | MOSFET N-CH 600 | IXYS | Die | Surface Mount | Die | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 70W (Tc) | 600V | 3A (Tc) | 2.9Ohm @ 1.5A, 10V | 10V | 5.5V @ 50µA | 9.8nC @ 10V | 411pF @ 25V | ±30V | PolarHV™ |
- 10
- 15
- 50
- 100