• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Серия
275-501N16A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE275 IXYS-RF DE275 590W 500V 16A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
275-101N30A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE275 IXYS-RF DE275 550W 100V 30A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
DE275-102N06A RF MOSFET N-CHANNEL DE275 IXYS-RF DE275 590W 1000V 8A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
275X2-501N16A-00 RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 IXYS-RF DE275 1180W 500V 16A 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 2 N-Channel (Dual) DE
275X2-102N06A-00 RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 IXYS-RF DE275 1180W 1000V 8A 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 2 N-Channel (Dual) DE
IXZ210N50L2 RF MOSFET N-CHANNEL DE275 IXYS-RF DE275 390W 70MHz 500V 10A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel 17dB 100V Z-MOS™
275-201N25A-00 RF MOSFET N-CHANNEL DE275 IXYS-RF DE275 590W 200V 25A 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad N-Channel DE
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100