-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Current - Test
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DE150-102N02A | RF MOSFET N-CHANNEL DE150 | IXYS-RF | DE150 | 200W | 1000V | 2A | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | N-Channel | DE | |
150-102N02A-00 | RF MOSFET N-CHANNEL DE150 | IXYS-RF | DE150 | 200W | 1000V | 2A | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | N-Channel | DE | |
150-201N09A-00 | RF MOSFET N-CHANNEL DE150 | IXYS-RF | DE150 | 200W | 200V | 9A | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | N-Channel | DE | |
150-101N09A-00 | RF MOSFET N-CHANNEL DE150 | IXYS-RF | DE150 | 200W | 100V | 9A | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | N-Channel | DE | |
DE150-501N04A | RF MOSFET N-CHANNEL DE150 | IXYS-RF | DE150 | 200W | 500V | 4.5A | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | N-Channel | 25µA | DE |
150-501N04A-00 | RF MOSFET N-CHANNEL DE150 | IXYS-RF | DE150 | 200W | 500V | 4.5A | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | N-Channel | 25µA | DE |
- 10
- 15
- 50
- 100