-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXRFSM18N50 | 18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE | IXYS-RF | 16-SMPD | Surface Mount | 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 835W | 500V | 19A (Tc) | 340mOhm @ 9.5A, 20V | 20V | 6.5V @ 250µA | 42nC @ 10V | 2250pF @ 400V | ±20V | SMPD |
| IXRFSM12N100 | 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE | IXYS-RF | 16-SMPD | Surface Mount | 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 940W | 1000V | 12A (Tc) | 1.05Ohm @ 6A, 15V | 15V | 5.5V @ 250µA | 77nC @ 10V | 2875pF @ 800V | ±20V | SMPD |
- 10
- 15
- 50
- 100