• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 10
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
IGN1011L1200 GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND Integra Technologies Inc. PL84A1 1250W 1.03GHz ~ 1.09GHz 180V PL84A1 HEMT 16.8dB 50V 160mA
IGT8292M50 GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND Integra Technologies Inc.
IGN1214L500B GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND Integra Technologies Inc. PL95A1 650W 1.2GHz ~ 1.4GHz 160V PL95A1 HEMT 15dB 50V 200mA
IGT2731M130 GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND Integra Technologies Inc.
IGN1214M300 GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND Integra Technologies Inc.
IGT5259CW50 GAN, RF POWER TRANSISTOR, C-BAND Integra Technologies Inc.
IGN2729M400R2 GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND Integra Technologies Inc.
IGN0912LM500 GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND Integra Technologies Inc.
IGN1011L70 GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND Integra Technologies Inc. PL32A2 80W 1.03GHz ~ 1.09GHz 120V PL32A2 GaN HEMT 22dB 50V 22mA
IGT1112M90 GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND Integra Technologies Inc.
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100